奧氏體形成的步驟

逆共析轉變是高溫下進行的擴散性相變，轉變的全過程可以分為四個階段，即：奧氏體形核，奧氏體晶核長大，剩余滲碳體溶解，奧氏體成分相對均勻化。各種鋼的奧氏體形核形成過程有一些區(qū)別，亞共析鋼、過共析鋼、合金鋼的奧氏體化過程中除了奧氏體形成的基本過程外，還有先共析相的溶解、合金碳化物的溶解等過程。

奧氏體形成的熱力學條件：必須存在過冷度或過熱度?T。

1. 奧氏體形核

奧氏體的形核位置通常在鐵素體和滲碳體兩相界面上，此外，珠光體領域的邊界，鐵素體嵌鑲塊邊界都可以成為奧氏體的形核地點。奧氏體的形成是不均勻形核，復合固態(tài)相變的一般規(guī)律。

一般認為奧氏體在鐵素體和滲碳體交界面上形核。這是由于鐵素體碳含量極低(0.02%以下)，而滲碳體的碳含量又很高(6.67%)，奧氏體的碳含量介于兩者之間。在相界面上碳原子有吸附，含量較高，界面擴散速度又較快，容易形成較大的濃度漲落，使相界面某一區(qū)域達到形成奧氏體晶核所需的碳含量；此外在界面上能量也較高，容易造成能量漲落，以便滿足形核功的要求；在兩相界面處原子排列不規(guī)則，容易滿足結構漲落的要求。所有漲落在相界面處的優(yōu)勢，造成奧氏體晶核最容易在此處形成。

奧氏體的形核是擴散型相變，可在鐵素體與滲碳體上形核，也可在珠光體領域的交界面上形核，還可以在原奧氏體晶核上形核。這些界面易于滿足形核的能量、結構和濃度3個漲落條件。

2. 奧氏體晶核的長大

加熱到奧氏體相區(qū)，在高溫下，碳原子擴散速度很快，鐵原子和替換原子均能夠充分擴散，既能夠進行界面擴散，也能夠進行體擴散，因此奧氏體的形成是擴散型相變。

3. 剩余碳化物溶解

鐵素體消失后，在t1溫度下繼續(xù)保持或繼續(xù)加熱時，隨著碳在奧氏體中繼續(xù)擴散，剩余滲碳體不斷向奧氏體中溶解。

4. 奧氏體成分均勻化

當滲碳體剛剛全部融入奧氏體后，奧氏體內(nèi)碳濃度仍是不均勻的，只有經(jīng)歷長時間的保溫或繼續(xù)加熱，讓碳原子急性充分的擴散才能獲得成分均勻的奧氏體。

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